Datasheet下载- 型号： IPB26CNE8N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB26CNE8N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB26CNE8N G价格参考。InfineonIPB26CNE8N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB26CNE8N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB26CNE8N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB26CNE8N G是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET类别，常用于高效率、高频率的电力电子应用中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于通信设备、服务器电源和工业电源系统。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具、无人机和工业自动化设备中，提供高效能的开关控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、储能系统和便携式设备中，用于电池充放电管理和保护电路。 4. 逆变器系统：应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和储能逆变器中，实现直流电到交流电的高效转换。 5. 负载开关与热插拔电路：用于服务器、存储设备和电信设备中，实现对负载的快速、安全控制。 IPB26CNE8N G具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（80V）和高电流能力，适合高频开关应用，有助于提高系统效率并减小散热设计需求，广泛适用于工业、通信和消费类高功率电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP26CNE8N_Rev1.01.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148cd33ab10e80&fileId=db3a30431441fb5d01148cd40f3f0e81 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB26CNE8N G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 39µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO-263 |
| 其它名称 | SP000292948 |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 85V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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